2025年先進(jìn)半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議將于2025年9月19-21日在中國(guó)江蘇無(wú)錫舉辦。本次會(huì)議旨在匯聚全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖學(xué)者、行業(yè)專家和企業(yè)領(lǐng)袖，共同探討最新的研究成果和技術(shù)進(jìn)展。會(huì)議將涵蓋先進(jìn)半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造、材料及其在各類應(yīng)用中的創(chuàng)新，包括人工智能、量子計(jì)算和5G通信等前沿科技。與會(huì)者將有機(jī)會(huì)參加主題演講、專題討論和技術(shù)展示，深入了解行業(yè)動(dòng)態(tài)，分享前沿經(jīng)驗(yàn)。
我們誠(chéng)邀全球的專家學(xué)者參與此次盛會(huì)，共同推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展。期待與您相聚無(wú)錫，共同探索未來(lái)科技的無(wú)限可能！
【會(huì)議亮點(diǎn)】
雙一流&211重點(diǎn)大學(xué)江南大學(xué)主辦、地方學(xué)會(huì)支持
IEEE Fellow、高校校長(zhǎng)/院長(zhǎng)入駐主席團(tuán) | IEEE獨(dú)立出版，EI/Scopus檢索
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大會(huì)官網(wǎng)：www.asdit.org 【查看詳情】
時(shí)間地點(diǎn)：2025年9月19-21日；中國(guó)·江蘇無(wú)錫
截稿時(shí)間：以官網(wǎng)為準(zhǔn)
論文檢索：EI, IEEE, Scopus
主辦單位：江南大學(xué)
協(xié)辦單位：江南大學(xué)集成電路學(xué)院、江南大學(xué)理學(xué)院、無(wú)錫市第三代半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
支持單位：無(wú)錫市集成電路學(xué)會(huì)
【大會(huì)組委】
大會(huì)主席
敖金平教授，江南大學(xué)，IEEE高級(jí)會(huì)員
顧曉峰教授，江南大學(xué)，集成電路學(xué)院院長(zhǎng)
楊國(guó)鋒教授，江南大學(xué)，理學(xué)院院長(zhǎng)，IEEE會(huì)員
技術(shù)程序委員會(huì)主席
余建軍教授，復(fù)旦大學(xué)，IEEE Fellow
徐駿教授，南通大學(xué)，副校長(zhǎng)
劉學(xué)峰教授，南京理工大學(xué)，IEEE高級(jí)會(huì)員
李楊副教授，江南大學(xué)
出版主席
姜巖峰教授，江南大學(xué)，IEEE高級(jí)會(huì)員
劉璋成副教授，江南大學(xué)
陳輝副教授，南京航空航天大學(xué)，IEEE會(huì)員
寇君龍副教授，南京大學(xué)，IEEE會(huì)員
當(dāng)?shù)匚瘑T會(huì)主席
王霄副教授，江南大學(xué)，IEEE會(huì)員
周久人教授，西安電子科技大學(xué)，IEEE Member
【征稿主題】
半導(dǎo)體器件：新型半導(dǎo)體材料及其在器件中的應(yīng)用、高性能MOSFET設(shè)計(jì)與優(yōu)化、能耗效率優(yōu)化的功率器件技術(shù)、超越硅的III-V族化合物半導(dǎo)體器件、微光電半導(dǎo)體傳感器及其應(yīng)用、半導(dǎo)體激光器及其新興應(yīng)用領(lǐng)域、石墨烯和其他二維材料器件、量子點(diǎn)和量子阱半導(dǎo)體器件、新型存儲(chǔ)器器件：RRAM, MRAM, FeRAM、低溫電子器件的挑戰(zhàn)與機(jī)遇、高頻和高功率器件的突破性技術(shù)、硅基光電子器件及其集成技術(shù)、隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)器件研究、半導(dǎo)體器件的可靠性與老化機(jī)制、先進(jìn)封裝和互連結(jié)構(gòu)對(duì)器件性能的影響；
集成技術(shù)：三維集成電路及其制造工藝、片上系統(tǒng)(SoC)與集成方法、芯片異構(gòu)集成技術(shù)、封裝級(jí)集成技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新、集成電路中的熱管理技術(shù)、射頻集成電路及其設(shè)計(jì)優(yōu)化、人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)在集成電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用、先進(jìn)模擬與混合信號(hào)集成電路、電源管理集成電路技術(shù)、集成電路設(shè)計(jì)中的可靠性與安全挑戰(zhàn)、硅光子學(xué)互連技術(shù)、超大規(guī)模集成技術(shù)的最新進(jìn)展、新興存儲(chǔ)器集成技術(shù)、模塊化MEMS與NEMS的集成應(yīng)用、智能傳感系統(tǒng)的集成與創(chuàng)新。
【Submit to the Conference | EI會(huì)議論文】
文章先經(jīng)2-3位專家盲審，錄用的文章將會(huì)被遞交給IEEE(ISBN:979-8-3315-9671-2)出版，見(jiàn)刊后提交至IEEE Xplore、EI Compendex, Scopus檢索。
1、論文模板請(qǐng)于系統(tǒng)【會(huì)議資料】處下載。
2、論文必須是英文稿件，且論文應(yīng)具有學(xué)術(shù)或?qū)嵱脙r(jià)值，未在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊或會(huì)議發(fā)表過(guò)。發(fā)表論文的作者需提交全文進(jìn)行同行評(píng)審，只做報(bào)告不發(fā)表論文的作者只需提交摘要。如需中→英翻譯，請(qǐng)將稿件投至【艾思編譯】平臺(tái)進(jìn)行翻譯；
3、作者可通過(guò)【iThenticate查重】，否則由文章重復(fù)率引起的被拒搞將由作者自行承擔(dān)責(zé)任。涉嫌抄襲的論文將不被出版，且公布在會(huì)議主頁(yè)。
4、投稿后請(qǐng)主動(dòng)添加會(huì)議老師微信，方便及時(shí)跟進(jìn)論文狀態(tài)及后續(xù)出版的相關(guān)事宜等。
早鳥投稿：7月29日前完成投稿錄用工作，可聯(lián)系會(huì)議秘書領(lǐng)取早鳥優(yōu)惠~
【參會(huì)方式】
1、作者參會(huì)：錄用文章需要派至少一位作者免費(fèi)參會(huì)并進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)口頭報(bào)告；
2、口頭演講：申請(qǐng)口頭報(bào)告，時(shí)間為10分鐘；
3、海報(bào)展示：申請(qǐng)海報(bào)展示，A1尺寸；
4、聽(tīng)眾參會(huì)：不投稿僅參會(huì)，也可申請(qǐng)演講及展示。
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